La lama per sminuzzare il mozzo eelettroformata viene utilizzata per il taglio di wafer di silicio, wafer di rame, pacchetti IC / LED, wafer semiconduttori composti (GaAs, gap), wafer di ossido (LiTaO3), vetro ottico
La lama per cubettatura del mozzo elettroformata è realizzata utilizzando una ruota diamantata ultrasottile e un mozzo in lega di alluminio ad alta precisione.
Taglio di wafer di silicio, wafer di rame, pacchetti IC / LED, wafer semiconduttori composti (GaAs, gap), wafer di ossido (LiTaO3), vetro ottico
* Miglioramento dell'equilibrio tra la durata della lama e la qualità della lavorazione (in particolare scheggiatura sul retro)
* Rafforza la rigidità, riduce il taglio ondulato e l'usura della lama in condizioni di carico elevato
* Controllo preciso della granulometria del diamante, della concentrazione del diamante e della durezza del legame di nichel per ridurre la spaccatura sui bordi
* Realizza il taglio di wafer ad alta velocità dopo la scanalatura laser
| Esposizione (μm) | 380 | 510 | 640 | 760 | 890 | 1020 | 1150 | 1270 | Granulometria |
| Larghezza Kerf (μm) | 380-510 | 510-640 | 640-760 | 760-890 | 890-1020 | 1020-1150 | 1150-1270 | 1270-1400 | # 5000 # 4800 # 4500 # 4000 # 3500 # 3000 # 2500 # 2000 # 1800 # 1700 # 1500 |
| 16-20 | 20 * 380 | 20 * 510 | |||||||
| 21-25 | 25 * 380 | 25 * 510 | 25 * 640 | ||||||
| 26-30 | 30 * 380 | 30 * 510 | 30 * 640 | 30 * 760 | 30 * 890 | 20 * 1020 | |||
| 31-35 | 35 * 380 | 35 * 510 | 35 * 640 | 35 * 760 | 35 * 890 | 35 * 1020 | |||
| 36-40 | 40 * 380 | 40 * 510 | 40 * 640 | 40 * 760 | 40 * 890 | 40 * 1020 | 40 * 1150 | ||
| 41-50 | 50 * 380 | 50 * 510 | 50 * 640 | 50 * 760 | 50 * 890 | 50 * 1020 | 50 * 1150 | ||
| 51-60 | 60 * 510 | 60 * 640 | 60 * 760 | 60 * 890 | 60 * 1020 | 60 * 1150 | 60 * 1270 | ||
| 61-70 | 70 * 640 | 70 * 760 | 70 * 890 | 70 * 1020 | 70 * 1150 | 70 * 1270 | |||
| 71-80 | 80 * 890 | 80 * 1020 | 80 * 1150 | 80 * 1270 | |||||
| 81-90 | 90 * 1020 | 90 * 1150 | 90 * 1270 |
